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申请/专利权人：湖北红花高温材料股份有限公司
摘要：本发明提供了一种用于单晶硅拉晶的坩埚的制备方法，包括配料、成型、烧结、镀膜的步骤。本发明中采用非真空烧制的方式来制备氮化硅材质的坩埚，因其无需在真空炉中进行烧制，即可采用普通的煅烧炉，在无需考虑空气压强的情况下，煅烧炉也不需要额外的结构强化，进而降低了煅烧炉的制备成本，并降低了煅烧炉的损坏率；本发明在烧结完成获得坩埚半成品后，还将其投入真空镀膜机中，在坩埚内壁镀上氮化硅膜，因真空镀膜机中镀膜的纯度极高，因此这一层膜为纯氮化硅膜，即坩埚内的单晶硅所接触的为高纯度的氮化硅膜，而不是下方在非真空环境下烧制的坩埚本体，不用担心坩埚因含有杂质而影响单晶硅纯度的问题。
主权项：1.一种用于单晶硅拉晶的坩埚的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、配料：按照质量百分数将硅粉15-20％、氧化铝32-38％、氮化铝21-30％、碳化硅15-20％、助剂4-7％投入混合装置，持续搅拌混合均匀：S2、成型：混合好的原料投入模具中进行加压成型，成型完毕后脱模并对压制好的原料进行修整；S3、烧结：将脱模修正后的原料置入煅烧炉，在1550-1600℃下烧结3-4d，开炉，取出烧结后的原料，降温至常温，然后将其表面打磨光滑，获得坩埚半成品；S4、镀膜：将烧结完成的坩埚半成品置入真空镀膜机中，在坩埚半成品的内壁上进行镀膜加工，从而镀上氮化硅膜，其中镀膜厚度为30-50um，镀膜完毕后得坩埚成品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北红花高温材料股份有限公司 一种用于单晶硅拉晶的坩埚的制备方法
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