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申请/专利权人：奥纳尔巴有限公司
摘要：本发明涉及一种生产氮化硼纳米结构的方法，该方法包括在绝热辐射屏蔽环境下使氮化硼前驱体材料经受灯烧蚀。
主权项：1.一种生产氮化硼纳米结构的方法，所述方法包括在绝热辐射屏蔽环境下在小于大气压的压力下以及1,400℃至3,500℃之间的温度下使氮化硼前驱体材料经受灯烧蚀至少5分钟，其中，生产的所述纳米结构包含至少50wt％的纳米洋葱结构且形成在与提供灯烧蚀的灯的焦点相距6cm至30cm的位置处。
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