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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明属于立体集成芯片封装技术领域，涉及一种集成三维电容的TSV转接基板及其制备方法。包括高阻硅晶圆，高阻硅晶圆上开设有若干TSV盲孔，TSV盲孔内嵌设有导电金属，高阻硅晶圆一侧开设有高密度阵列电容孔，高密度阵列电容孔上布置三维电容，高阻硅晶圆两侧均布置有再布线绝缘层，再布线绝缘层上布置有焊盘，焊盘连接导电金属和三维电容，三维电容与再布线绝缘层之间设有填充层，具有填充层一侧的第一再布线通过引出结构连接导电金属，引出结构嵌设在填充层内。本发明的TSV转接基板具有高电容密度三维电容，基板表面平整，能够用于数字、射频等芯片的2.5D3D集成，本发明制备方法能够与TSV制备工艺相兼容。
主权项：1.一种集成三维电容的TSV转接基板，其特征在于，包括高阻硅晶圆102，高阻硅晶圆102上开设有若干TSV盲孔101，TSV盲孔101内嵌设有导电金属301，高阻硅晶圆102一侧开设有高密度阵列电容孔501，高密度阵列电容孔501上布置三维电容7，高阻硅晶圆102两侧均布置有再布线绝缘层1102，再布线绝缘层1102上布置有焊盘1103，焊盘1103连接导电金属301和三维电容7，三维电容7与再布线绝缘层1102之间设有填充层901，具有填充层901一侧的第一再布线1101通过引出结构1001连接导电金属301，引出结构1001嵌设在填充层901内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种集成三维电容的TSV转接基板及其制备方法
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