龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：清华大学;北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种在TSV中自形成扩散阻挡层的方法及TSV和转接板，其中，所述方法包括先于绝缘层上沉积铜合金薄膜，再进行退火处理，生成自形成扩散阻挡层；或者先于绝缘层上沉积铜合金薄膜，然后于TSV盲孔内填充Cu，再进行退火处理，生成自形成扩散阻挡层；其中，铜合金包括铜和掺杂金属，所述掺杂金属包括Mn、Ti、Ta、Mg、Ge、Ni、Cr、Zr、Ru、Co及Al中的一种或者两种。本发明的方法减少了工艺步骤，制作工序更为简单，可制备用于当前主流尺寸或者小尺寸亚微米、高深宽比的TSV中的自形成扩散阻挡层；制得的自形成扩散阻挡层较薄且连续，具备更好的粘附性，更好的电学特性以及更好的可靠性。
主权项：1.一种在TSV中自形成扩散阻挡层的方法，包括在Si晶圆中形成TSV盲孔，并在Si晶圆上表面和TSV盲孔的内壁上制作绝缘层，其特征在于，所述方法还包括：先于绝缘层上沉积铜合金薄膜，再进行退火处理，生成自形成扩散阻挡层；或者，先于绝缘层上沉积铜合金薄膜，然后于TSV盲孔内填充Cu，再进行退火处理，生成自形成扩散阻挡层；其中，铜合金包括铜和掺杂金属，所述掺杂金属包括Mn、Ti、Ta、Mg、Ge、Ni、Cr、Zr、Ru、Co及Al中的一种或者两种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 一种在TSV中自形成扩散阻挡层的方法及TSV和转接板
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号