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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制备方法，通过采用两次屏蔽多晶硅刻蚀和两次第一氧化层刻蚀，刻蚀后在屏蔽多晶硅引出区的屏蔽多晶硅的顶部两侧形成较小凹陷宽度和凹陷深度的凹槽；栅极多晶硅刻蚀后，在屏蔽多晶硅引出区的屏蔽多晶硅顶部附近无栅极多晶硅残留；本发明使用与传统工艺相同的光罩数量，通过沟槽、屏蔽多晶硅、沟道离子注入、源极注入、接触孔以及金属层六层光罩就能实现屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制造；通过该制备方法制备的器件能有效改善栅极漏电，降低器件的功率损耗以及提升器件栅极可靠性，避免器件栅极和源极发生短路失效。
主权项：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上生长一层外延层，将所述外延层划分为有源区和屏蔽多晶硅引出区，在所述有源区与所述屏蔽多晶硅引出区分别刻蚀形成连通的第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽表面、所述第二沟槽表面以及所述外延层表面生长一层第一氧化层，通过多晶硅沉积，在所述第一沟槽与所述第二沟槽内形成屏蔽多晶硅，采用化学机械研磨方式，将所述屏蔽多晶硅研磨至所述第一氧化层的表面；将所述第一沟槽内的屏蔽多晶硅刻蚀至第一深度，进行第一氧化层刻蚀，并保留一定厚度的第一氧化层在第一沟槽的侧壁以及外延层表面，第二沟槽内的第一氧化层未被刻蚀；对所述第一沟槽与所述第二沟槽内的屏蔽多晶硅进行刻蚀，直至所述第一沟槽内的屏蔽多晶硅高度低于所述第一沟槽内的第一氧化层刻蚀高度，且所述第二沟槽内的屏蔽多晶硅高于所述外延层的表面；去除所述外延层表面的第一氧化层，将所述第一氧化层刻蚀至所述第一沟槽和所述第二沟槽内的硅表面，在所述第二沟槽内的屏蔽多晶硅的顶部两侧形成凹陷深度小于0.1微米的凹槽；在所述外延层表面、所述第一沟槽侧壁以及所述第二沟槽内的屏蔽多晶硅顶部形成第二氧化层，在所述第一沟槽内进行多晶硅沉积，通过研磨、刻蚀，将沉积的多晶硅刻蚀至所述外延层表面以下至少0.1微米，形成栅极多晶硅；形成第三氧化层、隔离层、接触孔以及金属层，得到所述的屏蔽栅沟槽MOSFET结构。
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权利要求：
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