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申请/专利权人：深圳大学

摘要：本发明公开了一种硒化锑自驱动薄膜光电探测器的制备方法，方法包括步骤：提供镀钼玻璃衬底；在镀钼玻璃衬底上磁控溅射Sb前驱体膜，对Sb前驱体膜进行硒化处理，得到Sb2Se3薄膜；采用化学水浴法在Sb2Se3薄膜上沉积CdS缓冲层；采用溶液旋涂和热处理向CdS缓冲层中引入Al3+，得到Al3+掺杂的CdS缓冲层；在Al3+掺杂的CdS缓冲层上磁控溅射沉积ITO窗口层，热蒸发Ag电极，得到硒化锑自驱动薄膜光电探测器。本发明采用磁控溅射法和硒化处理自组装生长Sb2Se3薄膜，能明显降低Sb2Se3薄膜的深能级缺陷密度，减少光生载流子复合；Al3+掺杂能降低界面缺陷密度、增加耗尽层宽度以及优化p‑n结界面能带排列，本发明制得的Sb2Se3自驱动薄膜光电探测器能实现无外加偏压自驱动工作，响应度和探测度大幅提升。

主权项：1.一种硒化锑自驱动薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤如下：提供镀钼玻璃衬底；在所述镀钼玻璃衬底上磁控溅射Sb前驱体膜，对所述Sb前驱体膜进行硒化处理，得到Sb2Se3薄膜；采用化学水浴法在所述Sb2Se3薄膜上沉积CdS缓冲层；采用溶液旋涂和热处理向所述CdS缓冲层中引入Al3+，得到Al3+掺杂的CdS缓冲层；在所述Al3+掺杂的CdS缓冲层上磁控溅射沉积ITO窗口层，热蒸发Ag电极，得到所述硒化锑自驱动薄膜光电探测器；所述采用溶液旋涂和热处理向所述CdS缓冲层中引入Al3+，得到Al3+掺杂的CdS缓冲层的步骤，具体包括：将AlCl3粉末溶解于乙二醇甲醚中，配置前驱体溶液；将所述前驱体溶液旋涂于所述CdS缓冲层表面，热处理，得到Al3+掺杂的CdS缓冲层；所述磁控溅射Sb前驱体膜的参数包括：溅射功率30～35W，溅射气压0.5～1.5Pa，溅射时间20～40min；所述Sb前驱体膜的厚度为380～420nm，所述硒化处理的温度为380～420℃，所述硒化处理的时间为15～20min；所述热处理的温度为260～300℃，所述热处理的时间为5～10min；所述采用化学水浴法在所述Sb2Se3薄膜上沉积CdS缓冲层的步骤具体为：在所述Sb2Se3薄膜上加入镉盐、硫脲和氨水的混合溶液，置于恒温水浴槽中搅拌均匀，得到CdS缓冲层；所述恒温水浴槽的温度为70～90℃，所述搅拌的时间为8～10min；所述硒化处理的过程中，Se颗粒和Sb前驱体膜置于同一腔室中。

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百度查询： 深圳大学 一种硒化锑自驱动薄膜光电探测器及其制备方法