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申请/专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种结型场效应晶体管及半导体器件，包括一衬底、一漂移区、一源接触区、一栅接触区、一沟道区及一漏接触区。所述衬底具有一第一导电类型。所述漂移区形成于所述衬底。所述漂移区具有一第二导电类型。所述源接触区形成于所述漂移区。所述源接触区具有所述第二导电类型。所述栅接触区形成于所述漂移区。所述栅接触区具有所述第一导电类型。所述栅接触区下方形成一沟道区。所述栅接触区相隔于所述源接触区。所述栅接触区包括一栅电极。所述栅电极包括2个次栅电极。所述2个次栅电极彼此相隔。所述沟道区形成于所述衬底之上且相邻于所述漂移区。所述漏接触区形成于所述漂移区且与所述栅接触区相隔。所述漏接触区具有所述第二导电类型。
主权项：1.一种结型场效应晶体管，其特征在于，包括：一衬底，具有一第一导电类型；一外延层，形成于所述衬底之上；一漂移区，形成于所述外延层中，所述漂移区具有一第二导电类型；一沟道区，形成于所述外延层中且相邻于所述漂移区；一源接触区，形成于所述外延层上表面，位于所述沟道区远离所述漂移区的一侧，所述源接触区具有所述第二导电类型；至少一栅接触区，形成于所述沟道区上表面，位于所述源接触区和所述漂移区之间，所述栅接触区具有所述第一导电类型，所述栅接触区相隔于所述源接触区，所述栅接触区包括2个次栅接触区，所述2个次栅接触区沿源漏连线方向彼此相隔，相邻的所述次栅接触区之间具有一横向间距，所述横向间距介于1μm至20μm之间；以及一漏接触区，形成于所述外延层上表面，位于所述漂移区远离所述栅接触区的一侧且与所述栅接触区相隔，所述漏接触区具有所述第二导电类型。
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