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申请/专利权人：新特能源股份有限公司;新特硅基新材料有限公司
摘要：本发明提供一种去除氯硅烷中碳杂质的方法及系统，方法包括：将多晶硅生产过程中的含碳氯硅烷与还原尾气混合，以使二者中的物料进行反应，对反应后的混合物料进行冷凝，以使反应后的混合物料中的氯硅烷冷凝成液体，对冷凝产生的气体进行吸附，以去除其中的甲烷，对冷凝产生的液体进行精馏，以去除其中的甲基三氯硅烷。本发明在不需要催化剂和或原料浓缩的前提下，利用还原尾气余热促进甲基二氯硅烷反应的进行，使其转化成更高沸点的甲基三氯硅烷和更低沸点的甲烷气体，不仅技术手段简单、而且能够提高三氯氢硅与甲基氯硅烷杂质的分离效率，降低分离能耗，同时也为还原尾气热能利用提供了新思路。
主权项：1.一种去除氯硅烷中碳杂质的方法，其特征在于，包括：将多晶硅生产过程中的含碳氯硅烷与还原尾气混合，以使二者中的物料进行反应，对反应后的混合物料进行冷凝，以使反应后的混合物料中的氯硅烷冷凝成液体，对冷凝产生的气体进行吸附，以去除其中的甲烷，对冷凝产生的液体进行精馏，以去除其中的甲基三氯硅烷；所述含碳氯硅烷包括：SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4和甲基氯硅烷；所述还原尾气包括以下质量分数的组分：5％-15％的H2、0.5％-3％的HCl、35％-45％的SiHCl3、35％-45的SiCl4和3％-10％的SiH2Cl2，所述还原尾气的温度为500-650℃。
全文数据：
权利要求：
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