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申请/专利权人：盛吉盛半导体技术(上海)有限公司
摘要：本申请属于半导体技术领域，公开一种晶圆预清洗腔室穹顶清洗方法，包括：通过遮挡机构遮挡基座上端，在预清洗腔室运行如下清洗步骤：在预清洗腔室内通入惰性气体，所述预清洗腔室为真空状态；将腔室内的惰性气体激发为等离子体；利用等离子体轰击清洁腔室内穹顶，其中，在所述基座上没有负偏压；停止产生等离子体；停止通入惰性气体；遮挡机构暴露基座上端，完成腔室穹顶的清洗。本申请中等离子体不会受基座上的负偏压的吸引向下轰击基座所在区域，而是轰击穹顶，从而减薄预清洗工艺的预清洗副产物在穹顶上的厚度，可延长穹顶的维护周期，提高机台的利用率。
主权项：1.一种晶圆预清洗腔室穹顶清洗方法，其特征在于，包括：通过遮挡机构遮挡基座上端，在预清洗腔室运行如下清洗步骤：在预清洗腔室内通入惰性气体，所述预清洗腔室为真空状态；将腔室内的惰性气体激发为等离子体；利用等离子体对清洁腔室穹顶进行清洁，其中，在所述基座上没有负偏压；停止产生等离子体；停止通入惰性气体；遮挡机构暴露基座上端，完成腔室穹顶的清洗。
全文数据：
权利要求：
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