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晶片清洗方法及晶片清洗设备 

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申请/专利权人:广东中图半导体科技股份有限公司

摘要:本发明属于半导体制造技术领域,公开了一种晶片清洗方法及晶片清洗设备。该晶片清洗方法包括S1、晶片酸洗,去除晶体表面的有机物;S2、为晶片降温;S3、调节晶片的界面动电势,使晶片表面的电性与附着在晶片上的带电胶体微粒的电性相同;S4、去除晶片表面的带电胶体微粒;S5、干燥晶片,同时防止带电胶体微粒与晶片再吸附。该晶片清洗方法能够避免在清洗过程中,被清洗晶片吸附微粒杂质,提升晶片清洗的效果。该晶片清洗设备采用上述晶片清洗方法对晶片进行清洗。

主权项:1.晶片清洗方法,其特征在于,包括:S1、晶片酸洗,去除晶体表面的有机物;S2、为晶片降温;S3、调节晶片的界面动电势,使晶片表面的电性与附着在晶片上的带电胶体微粒的电性相同;S4、去除晶片表面的带电胶体微粒;S5、干燥晶片,同时防止带电胶体微粒与晶片再吸附。

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