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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：公开了具有多孔部分的半导体器件、晶片复合体和制造半导体器件的方法。一种半导体衬底700，包括基底部分705、辅助层710和表面层720。辅助层710形成在基底部分705上。表面层720形成在辅助层710上。表面层720与半导体衬底700的第一主表面701接触。辅助层710具有与基底部分705和表面层720不同的电化学溶解效率。辅助层710的至少一部分和表面层720的一部分被转换成多孔结构820。随后，在第一主表面701上形成外延层730。
主权项：1.一种晶片复合体，包括：基底部分；多孔结构，其包括：·粗疏多孔层状部分，其形成在基底部分上；·第一致密多孔柱形部分，其形成在粗疏多孔层状部分的第一部分上；·非多孔部分，其形成在粗疏多孔层状部分的第二部分上；以及·第二致密多孔柱形部分，其形成在粗疏多孔层状部分的第三部分上，其中非多孔部分在第一致密多孔柱形部分和第二致密多孔柱形部分之间，以及外延层，其直接形成在第一致密多孔柱形部分、非多孔部分和第二致密多孔柱形部分上。
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