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申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：本公开所涉及的外延晶片具备：基板；缓冲层，含有以组成式AlxGayInzNx+y+z＝1、y＞0表示的晶体，并设置于基板之上；背势垒层，含有以组成式AlxGayInzNx+y+z＝1、y＞0、z＞0表示的晶体，并设置于缓冲层之上；沟道层，含有以组成式AlxGayInzNx+y+z＝1、y＞0表示的晶体，并设置于背势垒层之上；以及电子供给层，含有以组成式AlxGayInzNx+y+z＝1、x＞0表示的晶体，并设置于沟道层之上。外延晶片的特征在于，沟道层由电子供给层侧的沟道层上层和背势垒层侧的沟道层下层构成，沟道层下层的C的浓度比沟道层上层高，沟道层下层包含Si。
主权项：1.一种外延晶片，其特征在于，所述外延晶片具备：基板；缓冲层，含有以组成式AlxGayInzN表示的晶体，并设置于所述基板之上，其中，x+y+z＝1、y＞0；背势垒层，含有以组成式AlxGayInzN表示的晶体，并设置于所述缓冲层之上，其中，x+y+z＝1、y＞0、z＞0；沟道层，含有以组成式AlxGayInzN表示的晶体，并设置于所述背势垒层之上，其中，x+y+z＝1、y＞0；以及电子供给层，含有以组成式AlxGayInzN表示的晶体，并设置于所述沟道层之上，其中，x+y+z＝1、x＞0，所述沟道层由所述电子供给层侧的沟道层上层和所述背势垒层侧的沟道层下层构成，所述沟道层下层的C的浓度比所述沟道层上层的C的浓度高，所述沟道层下层包含Si，所述沟道层下层的Si的浓度比所述沟道层下层的C的浓度高。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 外延晶片、半导体装置以及外延晶片的制造方法
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