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申请/专利权人：瑶光半导体(浙江)有限公司
摘要：本发明公开了一种外延设备及其进气方法、可读存储介质及计算机设备，涉及半导体制造设备领域。包括如下步骤：获取晶片各个区域的膜厚值；根据获取的各个区域的膜厚值确定与各个区域对应的载气输出件的气流量调节值；通过第一进气结构向反应腔内通入反应气体，通过第二进气结构的多个可独立进气的载气输出件向反应腔内通入载气，每个载气输出件输出的气流量由预设的气流量按照气流量调节值调节后确定，第二进气结构喷出的载气可将第一进气结构喷出的至少部分反应气体下压。本发明的外延设备的进气方法可根据晶片表面各区域的膜厚值控制对应的载气输出件针对性的调节气流场，不影响反应气体的反应并且可以精确调节使得晶片表面厚度更加均匀。
主权项：1.一种外延设备的进气方法，其特征在于，包括如下步骤：获取晶片的上表面各个区域的膜厚值；根据获取的各个所述区域的所述膜厚值确定与各个所述区域对应的载气输出件的气流量调节值；通过第一进气结构向反应腔内通入预设气流量的反应气体，所述第一进气结构中从所述反应腔顶部中央伸入所述反应腔中并可向周围输出反应气体，通过第二进气结构的多个可独立进气的所述载气输出件向所述反应腔内通入载气，所述载气输出件围绕所述第一进气结构设置并可向下输出载气，其中每个所述载气输出件输出的气流量由预设的所述气流量按照所述气流量调节值调节后确定，所述第二进气结构喷出的载气可将所述第一进气结构喷出的至少部分反应气体下压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 瑶光半导体(浙江)有限公司 外延设备及其进气方法、可读存储介质及计算机设备
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