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申请/专利权人：聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要：本发明公开了一种具有应力释放层的LED外延结构，包括衬底、以及依次生长于衬底之上的缓冲层、UGaN层、NGaN层、应力释放层、MQW层、EBL层和P层，所述应力释放层是由自下而上依次生长的InGaN层、停顿层和GaN盖帽层重复交叠组成的周期性复合层。本LED外延结构的生长方法使应力释放层中InGaN停顿层GaN结构循环生长，利用停顿层高温烘烤InGaN层，使In析出或者逃逸形成空位pits，进一步阻断底层衍生的位错，生成多层叠加Pits，有利于应力释放，提升上层晶格质量，且电流扩散效果好、利于大电流通过，从而提升光效。
主权项：1.一种具有应力释放层的LED外延结构，其特征在于：包括衬底、以及依次生长于衬底之上的缓冲层、UGaN层、NGaN层、应力释放层、MQW层、EBL层和P层，所述应力释放层是由自下而上依次生长的InGaN层、停顿层和GaN盖帽层重复交叠组成的周期性复合层，所述停顿层包括第一停顿层和第二停顿层，第一停顿层的生长条件中无NH3，第二停顿层的生长条件中有NH3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 一种具有应力释放层的LED外延结构及其生长方法
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