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申请/专利权人：瑶光半导体(浙江)有限公司
摘要：本发明公开了一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备，涉及半导体制造设备领域。包括上盖，设于所述反应腔顶部；基座，可转动的设于反应腔内且与所述上盖平行间隔设置；多个卫星盘，呈圆周分布在基座上，用于承载待加工件，其中，所述上盖设有第一进气结构以及第二进气结构；待加工件表面的包括多个同心区域，第二进气结构包括多个与所述区域对应的载气输出件；第二进气结构喷出的载气可将所述第一进气结构喷出的至少部分反应气体下压，通过调节任一个载气输出件的载气流量可改变与所述载气输出件对应的待加工件的区域的薄膜生长速率。本发明通过载气去下压并打散反应气体，使得待加工件上各区域的薄膜生长速度趋于一致，膜厚更加均匀。
主权项：1.一种外延工艺的反应腔室，其特征在于，包括：反应腔；上盖，设于所述反应腔顶部；基座，可转动的设于所述反应腔内且与所述上盖平行间隔设置；多个卫星盘，呈圆周分布在所述基座上，用于承载待加工件，所述基座可带着所述卫星盘围绕所述基座的旋转中心轴线旋转，所述卫星盘可围绕所述卫星盘的旋转中心轴线旋转；其中，所述上盖设有第一进气结构以及第二进气结构，所述第一进气结构伸入所述反应腔中且沿着所述基座的旋转中心轴线延伸预设距离，并可向周围的所述反应腔内喷出反应气体；所述第二进气结构围绕所述第一进气结构设置并包括多个可独立进气且用于喷出载气的载气输出件；所述待加工件表面的任一条半径分为多段连续的线段，每段所述线段围绕所述待加工件的中心旋转一周形成多个相邻不重叠的同心区域，每个所述区域与一个或多个所述载气输出件对应；所述第二进气结构喷出的载气可将所述第一进气结构喷出的至少部分反应气体下压，当所述卫星盘围绕所述卫星盘的旋转中心轴线旋转时，通过调节任一个所述载气输出件的载气流量可改变与所述载气输出件对应的所述待加工件的区域的薄膜生长速率。
全文数据：
权利要求：
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