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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：提供一种包括桥式晶片的半导体封装。一种半导体封装包括第一半导体晶片和第二半导体晶片、第一重分布线结构和第二重分布线结构、第一桥式晶片以及垂直连接器。第一半导体晶片和第一桥式晶片设置在第一重分布线结构上。第一桥式晶片被设置成提供第一半导体晶片与第一桥式晶片之间的水平差，第一桥式晶片的高度小于第一半导体晶片的高度。第二重分布线结构具有突出部，当从平面图观察时，突出部从第一半导体晶片的侧表面横向突出，并且第二重分布线结构的底表面与第一半导体晶片的顶表面接触。第二半导体晶片设置在第二重分布线结构上。垂直连接器设置在桥式晶片和第二重分布线结构的突出部之间以支撑突出部。
主权项：1.一种半导体封装，所述半导体封装包括：第一半导体晶片，所述第一半导体晶片设置在第一重分布线结构上；第一桥式晶片，所述第一桥式晶片设置在所述第一重分布线结构上以提供所述第一半导体晶片和所述第一桥式晶片之间的水平差，所述第一桥式晶片的高度小于所述第一半导体晶片的高度；第二重分布线结构，所述第二重分布线结构层叠在所述第一半导体晶片上，其中，所述第二重分布线结构被设置成具有突出部，当从平面图观察时，所述突出部从所述第一半导体晶片的侧表面横向突出；第二半导体晶片，所述第二半导体晶片设置在所述第二重分布线结构上；以及垂直连接器，所述垂直连接器设置在所述第一桥式晶片与所述第二重分布线结构的所述突出部之间以支撑所述突出部，其中，所述第一桥式晶片包括第一通孔，其中，所述第二重分布线结构包括重分布线图案和介电层，其中，所述介电层与所述第一半导体晶片的顶表面接触，使得所述重分布线图案与所述第一半导体晶片隔离，并且其中，所述介电层与所述第一桥式晶片的上表面间隔开，从而使所述第一半导体晶片的侧表面的上部和所述垂直连接器的侧表面的一部分露出。
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权利要求：
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