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申请/专利权人：五邑大学
摘要：本发明涉及气敏材料制备技术领域，具体公开了一种通空气直接生长ZnO多孔薄膜的方法。本发明通空气直接生长ZnO多孔薄膜的方法包括以下步骤：S1、FTO的清洗和预处理；S2、生长液的配制；S3、电极的组装；S4、反应参数的设置；本发明制备工艺简单，制备成本低，且制备的ZnO多孔薄膜性能稳定，并且制备的ZnO多孔薄膜具有较好的气敏性能；本发明制备的ZnO多孔薄膜的多孔结构分布较为均匀，有利于增大薄膜材料的比表面积；本发明制备的ZnO多孔薄膜在生物传感、气敏传感、光电转换等领域具有良好的应用前景。
主权项：1.一种通空气直接生长ZnO多孔薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：配制含有ZnCl2和KCl的生长液，调节所述生长液的pH值为2.0-3.0；将空气通入pH值为2.0-3.0的所述生长液中，得到氧气饱和的生长液；在三电极体系的电化学工作站中，以FTO导电玻璃作为工作电极，饱和甘汞电极作为参比电极，铂片电极作为辅助电极，所述氧气饱和的生长液作为电解液，在80-100℃下，采用电位阶跃法进行电化学沉积，制得ZnO多孔薄膜；所述电化学沉积的过程包括：采用-1.3V的电位值沉积5-20s，在所述FTO导电玻璃的至少部分表面形成ZnO晶种，然后采用-1.0V的电位值沉积1500-2000s。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 五邑大学 一种通空气直接生长ZnO多孔薄膜的方法
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