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申请/专利权人：新唐科技日本株式会社
摘要：高频放大用半导体装置100具备衬底101，衬底101上的第1氮化物半导体层103、二维电子气层105及第2氮化物半导体层104、以及在第2氮化物半导体层104的上方相互隔开间隔设置的源极电极301、漏极电极302及栅极电极401，在平面观察中，在存在二维电子气层105的有源区域701中，具有电阻体601和设在第2氮化物半导体层104的上方的电阻体601，在平面观察中，在非有源区域704中，具有与漏极电极302或栅极电极401连接的漏极端子803及栅极端子804、以及电阻体601所连接的第1电阻端子805及第2电阻端子806。
主权项：1.一种功率放大用半导体装置，其特征在于，具备：衬底；第1氮化物半导体层，设在上述衬底上；第2氮化物半导体层，设在上述第1氮化物半导体层上，带隙比上述第1氮化物半导体层大；二维电子气层，设在上述第1氮化物半导体层与上述第2氮化物半导体层之间的界面的上述第1氮化物半导体层侧；源极电极及漏极电极，在上述第1氮化物半导体层的上方隔开间隔设置，分别与上述二维电子气层电连接；以及栅极电极，与上述源极电极及上述漏极电极隔开间隔设置，与上述第2氮化物半导体层接触；在上述衬底的平面观察中，上述衬底被划分为存在上述二维电子气层的有源区域和不存在上述二维电子气层的非有源区域；在上述有源区域中，具有：高电子迁移率晶体管，包含上述源极电极、上述漏极电极及上述栅极电极；以及温度检测用的电阻体，设在上述第2氮化物半导体层的上方；在上述非有源区域中，具有：第1端子焊盘，与上述漏极电极或上述栅极电极连接；以及第2端子焊盘，与上述电阻体连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新唐科技日本株式会社 功率放大用半导体装置
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