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申请/专利权人：重庆欣晖材料技术有限公司
摘要：本公开涉及一种化学气相沉积设备。该化学气相沉积设备用于在多个基底上进行化学气相沉积，其包括：反应腔室，用于在其中安置所述多个基底；排气部，包括设置在反应腔室的底部处的排气口；以及多个进气部，每个进气部均包括设置在反应腔室中的进气口，并且所述多个进气部的相应的多个进气口中的至少一个进气口的进气方向相对于水平方向向上倾斜。通过该化学气相沉积设备，能够提高同一炉沉积形成的SiC结构的厚度的均匀性。
主权项：1.一种化学气相沉积设备，用于在多个基底上进行化学气相沉积，其特征在于，包括：反应腔室，用于在其中安置所述多个基底；排气部，包括设置在所述反应腔室的底部处的排气口；以及多个进气部，每个进气部均包括设置在所述反应腔室中的进气口，并且所述多个进气部的相应的多个进气口中的至少一个进气口的进气方向相对于水平方向向上倾斜。
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百度查询： 重庆欣晖材料技术有限公司 化学气相沉积设备
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