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申请/专利权人：中国科学技术大学

摘要：本发明公开了一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列及其制作方法，其方法包括：制作催化剂阵列；在催化剂阵列上生长片状多壁碳纳米管阵列；将所述片状多壁碳纳米管阵列放倒在基底上的形成致密化多壁碳纳米管薄膜阵列；刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列，得到其中一个方向的微偏振片阵列；重复上述操作，分别制作四个方向的偏振片阵列。本发明利用顺排碳纳米管薄膜的偏振特性，将其制作成微偏振单元可以有效解决现有工艺复杂，成本高，效率低的问题。

主权项：1.一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，其特征在于，包括：制作催化剂阵列，包括：在基底上形成缓冲层并干燥处理；在所述缓冲层上旋涂光刻胶层并干燥处理；在所述光刻胶层上，覆盖掩膜版，曝光并显影得到催化剂阵列的光刻胶图形；在光刻胶阵列图形上形成催化剂层，其中，所述形成催化剂层为：通过溅射工艺或者电子束蒸发工艺在所述光刻胶阵列图形上镀一层铁薄膜层，所述铁薄膜层厚度为1~2纳米；去除所述光刻胶层，得到催化剂阵列；在催化剂阵列上生长片状多壁碳纳米管阵列；将所述片状多壁碳纳米管阵列放倒在基底上，形成多壁碳纳米管薄膜阵列；刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列，得到一个方向的微偏振片阵列；其中，刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列包括：在所述多壁碳纳米管薄膜阵列上旋涂光刻胶层并干燥处理；在所述光刻胶层上，覆盖掩膜版，曝光并显影得到光刻胶微偏振片阵列图形，其中，每次使用的掩膜版分别与当次使用的催化剂阵列的掩膜版相对应；刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列，以将所述图形转移到多壁碳纳米管薄膜层；去除所述光刻胶；重复上述操作，制作四个方向的偏振片阵列。

全文数据：基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列及其制作方法技术领域本发明涉及偏振态测量领域技术领域，尤其涉及一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列及其制作方法。背景技术现有的微偏振阵列大多采用金属线栅的方案，纳米级金属线栅周期，线宽对工艺，设备要求较高，根据偏振需求周期在几十纳米到数微米不等。碳纳米管是一种一维碳纳米材料，具有优异的力学，电学性能。多壁碳纳米管的直径只有2-20纳米左右。相对于传统金属线栅的周期尺寸更小。在沉积有催化剂的基底上，采用化学气相沉积的方法就可以生长出垂直排布的多壁碳纳米管阵列，省去了传统线栅制作复杂，高成本的工艺过程，碳纳米管薄膜的厚度决定了偏振片的消光比，5微米厚度的顺排多壁碳纳米管薄膜对可见光波段的消光比约为30分贝。在中国发明专利CN101893731A中，张青川等人提出了一种基于像素偏振片阵列的实时偏振态和相位测量方法，详细叙述了偏振片阵列的测量方法、结构设计、工作原理等，但该专利并未涉及微偏振阵列的制作这一技术问题。在中国发明专利CN103760681A中，董凤良等提出了一种金属纳米光栅的微偏振片阵列的制作方法。包括在光学玻璃上沉积一层金属膜，构成光栅基体，膜厚约为150-250纳米；在基体表面旋涂正性电子束光刻胶层并干燥处理，在光刻胶层上通过电子束光刻的方法显影得到光刻胶图案；采用电感耦合等离子体刻蚀，以带有图案的光刻胶为掩膜，刻蚀金属薄膜层，以将图形转移到金属薄膜上。电子束光刻的方法效率偏低，对设备要求较高，只适于单件制作，不能用于大批量制作。发明内容一要解决的技术问题本发明的目的在于提供一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列及其制作方法，以至少部分解决上述技术问题。二技术方案根据本发明的一方面，提供一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，包括：制作催化剂阵列；在催化剂阵列上生长片状多壁碳纳米管阵列；将所述片状多壁碳纳米管阵列放倒在基底上，形成多壁碳纳米管薄膜阵列；刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列，得到一个方向的微偏振片阵列；重复上述操作，分别制作四个方向的偏振片阵列。在进一步的实施方案中，所述制作催化剂阵列包括：在基底上形成缓冲层并干燥处理；在所述缓冲层上旋涂光刻胶层并干燥处理；在所述光刻胶层上，覆盖掩膜版，曝光并显影得到催化剂阵列图形；在所述阵列图形上形成催化剂层；去除所述光刻胶层，得到催化剂阵列。在进一步的实施方案中，所述形成催化剂层为：通过溅射工艺或者电子束蒸发工艺在所述光刻胶图形阵列上镀一层铁薄膜层。在进一步的实施方案中，所述将所述片状多壁碳纳米管阵列放倒在基底上包括：将所述片状多壁碳纳米管阵列浸入有机溶剂，提出后干燥处理。在进一步的实施方案中，所述浸入有机溶剂为：将片状多壁碳纳米管薄膜沿与水平面平行方向浸入异丙醇或乙醇有机溶剂中，并沿原方向提出；所述干燥处理为：在温度为80-100℃热板上或烘箱内烘烤5-10分钟。在进一步的实施方案中，所述刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列包括：在所述多壁碳纳米管薄膜阵列上旋涂光刻胶层并干燥处理；在所述光刻胶层上，覆盖掩膜版，曝光并显影得到光刻胶微偏振片阵列图形；刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列，以将所述图形转移到多壁碳纳米管薄膜层；去除所述光刻胶。在进一步的实施方案中，所述生长片状多壁碳纳米管阵列为使用水辅助化学气相沉积法生长形成顺序排布的多壁碳纳米管阵列。在进一步的实施方案中，所述生长多壁碳纳米管阵列时，通入气体包括：氩气、氢气、乙烯、湿氩气；或者，通入气体包括：氩气、氢气、乙炔和湿氩气。在进一步的实施方案中，所述分别制作四个方向的偏振片阵列包括：分别制作0°、45°、90°、135°四个方向的偏振片阵列。根据本发明的另一方面，提供一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，包括：一个或多个偏振片单元，且各偏振片单元包括4个不同方向的偏振片；其中，所述偏振片材料为多壁碳纳米管。在进一步的实施方案中，所述基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列还包括：基底；缓冲层，沉积在所述基底上；图形化催化剂层，沉积在所述缓冲层上；其中，所述催化剂层图形与偏振片图形相同，且所述微偏振生长在所述催化剂层上。在进一步的实施方案中，所述偏振片单元为0°、45°、90°、135°四个方向偏振片，且沿顺时针依次排列形成2*2阵列。在进一步的实施方案中，所述多壁碳纳米管为顺序排布的多壁碳纳米管。三有益效果本发明提供的一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列及其制作方法至少包括以下有益效果：本发明制作微偏振片阵列使用的材料为碳纳米管，碳纳米管作为一维纳米材料，重量轻，机械强度高，六边形结构连接完美，拥有优良的延展性、柔韧性、透明性、耐腐蚀性，优良的电磁波吸收特性。顺序排布的多壁碳纳米管轴向与垂直轴向表现出明显的光、电各向异性的特性。顺序排布的多壁碳纳米管阵列能吸收平行于轴向的光波，透过垂直于轴向的光波。碳纳米管顺排阵列会吸收极化方向与其轴向一致的光波，碳纳米管中的自由电子沿着轴向运动。当入射光的极化方向与轴向一致时，碳纳米管中的电子随着光子电场方向振动，使光子能量转移到多壁碳纳米管中的电子上，最终以热量的形式耗散在碳纳米管晶格结构中。利用顺排碳纳米管薄膜的偏振特性，将其制作成微偏振单元可以有效解决现有工艺复杂，成本高，效率低的问题。附图说明图1为本发明实施例的催化剂阵列0°掩膜版示意图其他四个角度膜板单元仅方向角度不同，单元结构尺寸一致；图2为本发明实施例的四个方向偏振片阵列制作过程示意图；图3为本发明实施例的多壁碳纳米管阵列0°掩膜版示意图其他四个角度膜板单元位置不同，单元结构尺寸一致；图4为本发明实施例的单次循环制作工艺流程图，其中4e之后的步骤样品上仍存在催化剂层，只是其厚度为1-2纳米，相对于其他层可忽略，故不再图中表示；图5为本发明实施例的片状多壁碳纳米管致密化放倒过程示意图；图6为本发明实施例的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作流程图；图7为本发明实施例的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的多壁碳纳米管水辅助化学气相沉积生长过程图。具体实施方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。根据本发明的一个实施例，提供一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，如图5所示，包括：制作催化剂阵列；在催化剂阵列上生长片状多壁碳纳米管阵列；将所述片状多壁碳纳米管阵列放倒在基底上的形成致密化多壁碳纳米管薄膜阵列；刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列，得到其中一个方向的微偏振片阵列；重复上述操作，制作四个方向的偏振片阵列。在本实施例中，所述制作催化剂阵列包括：在基底上形成缓冲层并干燥处理；在所述缓冲层上旋涂光刻胶层并干燥处理；在所述光刻胶层上，覆盖掩膜版，曝光并显影得到催化剂阵列图形；在所述阵列图形上形成催化剂层；去除所述光刻胶层，得到催化剂阵列。其中，所述掩膜版为催化剂阵列的掩膜版，共包含四块，分别为0°、45°、90°、135°四个方向的阵列，其矩形单元线宽决定了碳纳米管薄膜放倒后的厚度，从而对微偏振阵列的消光比起到决定性作用。所述掩膜版图案尺寸由所设计的偏振阵列单元尺寸决定，多块掩膜版分别对应多个偏振方向的图形，共0°、45°、90°、135°四个方向。其中，所述在基底形成缓冲层为：通过原子层沉积工艺在基底上镀一层氧化铝薄膜，厚度为10-20nm。干燥处理为采用热板或烘箱烘烤，优选的所述烘烤温度为120-220℃，所述烘烤时间为2-60分钟。其中，所述旋涂光刻胶层为在所述氧化铝薄膜上旋涂极紫外光正性光刻胶层并干燥处理。所述光刻胶厚度为0.8-1.6微米，优选为AZ6112。干燥处理为采用热板烘烤，采用AZ6112光刻胶时烘烤温度为100℃，烘烤时间为60秒。其中，在所述光刻胶层上覆盖催化剂阵列掩膜版，曝光并显影得到光刻胶碳纳米管生长阵列图形时，所述掩膜版对应用于四个不同方向中的一块，并在制作下一方向偏振阵列时更换对应的掩膜版。优选的，曝光时间2.3秒，显影时间30秒。其中，所述形成催化剂层为：通过溅射工艺或者电子束蒸发工艺在所述光刻胶图形层上镀一层铁薄膜层，根据多壁碳纳米管生长质量要求，所述铁薄膜层厚度为1-2纳米。其中，去除所述光刻胶层采用丙酮伴随超声处理去除所述光刻胶层。从而形成催化剂阵列，通过光刻的方法做出矩形的催化剂，便能够通过水辅助化学气相沉积生长出垂直排列的片状的碳纳米管阵列。在本实施例中，所述生长片状多壁碳纳米管阵列采用水辅助化学气相沉积的方法包括：将镀有催化剂阵列图案的基底放入气相沉积炉的石英管中；密封后通入氩气，升温一定温度后开始通入氢气，温度稳定在一定温度时通入乙烯或乙炔，然后在通入湿氩气；开始生长直到得到足够高度和体积密度的碳纳米管。水辅助化学气相沉积的方法可用于生长垂直排布的多壁碳纳米管阵列。生长在温控炉中进行，开始生长前将带有催化剂的样品放入气相沉积炉中，用于生长碳纳米管阵列的气体包括氩气、氢气、乙烯乙炔、湿氩气。计时生长，生长时间决定碳纳米管生长的高度，最高可长至数毫米高度。在本实施例中，所述将所述片状多壁碳纳米管阵列放倒在基底上包括：按照片状碳纳米管薄膜与水平面平行方向浸入有机溶剂，有机溶剂为异丙醇或乙醇；干燥处理为采用热板烘烤，所述烘烤温度为80-100℃，所述烘烤时间为5-10分钟；从而得到放倒在基底上的致密化多壁碳纳米管薄膜阵列，放倒后顺排方向由生长阵列方向决定。其中，本实施例中所述放倒为垂直于基地生长的多壁碳纳米管沿一定方向倒下至于基底处于平行方向。碳纳米管阵列在水中不浸润，在有机溶剂中浸润，将得到的片状碳纳米管阵列浸入有机溶剂可以将碳纳米管阵列放倒，密实化，同时保持阵列顺序排布的特征。放倒方向与从有机溶剂中提出的方向一致，也可将图案做成梯形，实现对碳纳米管倾倒的导向。密实化的顺排碳纳米管薄膜体积分数可以从1％收缩至50％。放倒后的密实化多壁碳纳米管阵列薄膜，通过光刻技术在其需要保留的图案区域表面覆盖一层光刻胶作为掩膜。用反应离子刻蚀刻蚀掉光刻胶图案没有覆盖的区域。洗去残胶，便可得到放倒方向的偏振片阵列。在本实施例中，所述刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列包括：在所述多壁碳纳米管薄膜阵列上旋涂光刻胶层并干燥处理；在所述光刻胶层上，覆盖掩膜版，曝光并显影得到光刻胶微偏振片阵列图形；刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列，以将所述图形转移到多壁碳纳米管薄膜层；去除所述光刻胶。其中，所述多壁碳纳米管薄膜阵列上旋涂光刻胶层，所述光刻胶层为极紫外光刻胶，其厚度为6-10微米，优选为AZ4620,所述烘烤温度为100℃，所述烘烤时间为360秒。其中，所述掩膜版为多壁碳纳米管阵列的掩膜版，其每次所使用的掩膜版应分别与当次使用的催化剂阵列的掩膜版相对应。选用AZ4620时，曝光时间25秒，显影时间3-5分钟，显影后使用氮气将样品吹干。其中，所述刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列采用反应离子刻蚀，以带有所述图形的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列，以将所述图形转移到多壁碳纳米管薄膜层。优选的，反应气体为氧气，流量为10sccm，功率200W。其中，所述去除所述光刻胶为使用丙酮去除残胶，从而得到一个方向的微偏振片阵列。在本实施例中，所述分别制作四个方向的偏振片阵列包括：分别制作0°、45°、90°、135°四个方向的偏振片阵列。如图2所示为四个方向偏振片阵列制作过程示意图，其中图2a为第一次循环制作0°微偏振子阵列；图2b为第二次循环制作45°微偏振子阵列；图2c为第三次循环制作90°微偏振子阵列；图2d为第四次循环制作135°微偏振子阵列。根据本发明的另一个实施例，提供一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，包括：一个或多个偏振片单元，且各偏振片单元包括4个不同方向的偏振片；其中，所述偏振片材料为多壁碳纳米管。在本实施例中，所述基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列还包括：基底；缓冲层，沉积在所述基底上；图形化催化剂层，沉积在所述缓冲层上；其中，所述催化剂层图形与偏振片图形相同，且所述微偏振生长在所述催化剂层上。在本实施例中，所述基底为透明材料，所述透明材料可以为但不局限于玻璃基底或二氧化硅基底。在本实施例中，所述缓冲层可以为但不局限于氧化铝层，根据碳纳米管生长质量要求其厚度为10-20nm之间。在本实施例中，所述图形化催化剂层可以为一层铁膜，厚度为1-2nm之间，厚度可忽略不计，故在附图中省略。在本实施例中，所述偏振片单元为0°、45°、90°、135°四个方向偏振片，且沿顺时针依次排列形成2*2阵列。在本实施例中，所述多壁碳纳米管为顺序排布的多壁碳纳米管。碳纳米管作为一维纳米材料，重量轻，机械强度高，六边形结构连接完美，拥有优良的延展性、柔韧性、透明性、耐腐蚀性，优良的电磁波吸收特性。而顺序排布的多壁碳纳米管轴向与垂直轴向表现出明显的光、电各向异性的特性。下面通过一个示例性实施例对本发明进一步说明，其中制备方法包括：步骤1：利用无掩模光刻机，制作四个方向的催化剂阵列的掩膜版，如图1所示为催化剂阵列0°掩膜版示意图，其中，阴影部分透光，单元宽度6微米，间距100微米，另外三块掩膜版，矩形单元长度方向分别沿着45°、90°、135°三个方向。以及多壁碳纳米管阵列的掩膜版，如图3所示为多壁碳纳米管阵列0°掩膜版示意图，其中，阴影部分透光，单元为5微米×5微米，间距8微米，另外三个方向用于刻蚀形成多壁碳纳米管阵列的掩膜版，微偏振单元尺寸一致，布局与图2一致。步骤2：如图4a所示，采用原子层沉积技术，在清洗干净的二氧化硅基底1上沉积10纳米厚的氧化铝薄膜层2。步骤3：如图4b所示，使用氮气吹去样品表面灰尘，旋涂AZ6112正性极紫外第一光刻胶3，曝光显影后形成碳纳米管生长的光刻胶图形，放置在100℃热板上烘烤60秒。其中，考虑铁催化剂4liftoff及图案效果，光刻胶厚度应在1微米左右。其中，每次循环更换不同角度催化剂阵列掩膜版，直到四个角度全部完成。步骤4：如图4c所示，采用磁控溅射技术在有光刻胶图形的样品表面溅射一层1.5纳米铁催化剂4。之后，使用丙酮伴随超声清洗1-2分钟去除胶图形及在光刻胶图形之上的铁，清洗干净后利用氮气风干样品，得到的样品如图4d所示。步骤5：采用水辅助化学气相沉积的方法生长碳纳米管5阵列。将镀有催化剂阵列图案的硅基底放入气相沉积炉的石英管中内径180mm，密封后通入氩气，流量为90sccm；升温至550℃开始通入氢气，流量为50sccm；温度稳定在760℃时通入乙烯，流量为80sccm，湿氩气，流量9sccm；开始计时生长，碳纳米管生长高度由生长时间决定，生长15分钟得到的碳纳米管高度约为400微米，体积密度约为1％。其生长过程如图7所示，生长出的碳纳米管片状阵列样品如图4e所示。步骤6：放倒片状碳纳米管顺排阵列，使其致密化。如图5所示，保持片状碳纳米管与水平面持平，将片状碳纳米管片状阵列样品浸入异丙醇中，保持数秒后沿浸入方向提出，提出后放置在80℃上烘烤10-20分钟，得到放倒在基底上的致密化顺排碳纳米管薄膜。步骤7：如图4g所示，使用氮气吹去样品表面灰尘，旋涂AZ4620正性极紫外第二光刻胶6，曝光显影后形成碳纳米管生长的光刻胶图形，放置在100℃热板上烘烤360秒。其中，碳纳米管刻蚀与光刻胶选择比，光刻胶厚度应在6微米以上。其中，每次循环更换不同角度刻蚀多壁碳纳米管阵列掩膜版，直到四个角度全部完成。步骤8：如图4h所示，采用反应离子刻蚀技术刻蚀密实化顺排碳纳米管薄膜，功率200W，氧气流量10sccm。步骤9：如图4i所示，使用丙酮清洗去除刻蚀后样品表面的残胶，清洗干净后用氮气吹干，得到其中一个方向的微偏振阵列。步骤10：如图2所示。分四次循环完成微偏振阵列全部0°、45°、90°、135°四个角度的制作。最终得到各阵列单元为2*2多壁碳纳米管偏振片单元，且各偏振片单元为0°、45°、90°、135°四个不同方向偏振片的沿顺时针依次排列的多壁碳纳米管的微偏振片阵列，其俯视图如图2d所示。需要说明的是，本文可提供包含特定值的参数的示范，但这些参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应值。实施例中提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本发明的保护范围。此外，除非特别描述或必须依序发生的步骤，上述步骤的顺序并无限制于以上所列，且可根据所需设计而变化或重新安排。并且上述实施例可基于设计及可靠度的考虑，彼此混合搭配使用或与其他实施例混合搭配使用，即不同实施例中的技术特征可以自由组合形成更多的实施例。以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

权利要求：1.一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，其特征在于，包括：制作催化剂阵列；在催化剂阵列上生长片状多壁碳纳米管阵列；将所述片状多壁碳纳米管阵列放倒在基底上，形成多壁碳纳米管薄膜阵列；刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列，得到一个方向的微偏振片阵列；重复上述操作，制作四个方向的偏振片阵列。2.根据权利要求1所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，其特征在于，所述制作催化剂阵列包括：在基底上形成缓冲层并干燥处理；在所述缓冲层上旋涂光刻胶层并干燥处理；在所述光刻胶层上，覆盖掩膜版，曝光并显影得到催化剂阵列图形；在所述阵列图形上形成催化剂层；去除所述光刻胶层，得到催化剂阵列。3.根据权利要求2所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，其特征在于，所述形成催化剂层为：通过溅射工艺或者电子束蒸发工艺在所述光刻胶阵列图形上镀一层铁薄膜层。4.根据权利要求1所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，其特征在于，所述将所述片状多壁碳纳米管阵列放倒在基底上包括：将所述片状多壁碳纳米管阵列浸入有机溶剂，提出后干燥处理。5.根据权利要求4所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，其特征在于，所述浸入有机溶剂为：将片状多壁碳纳米管薄膜沿与水平面平行方向浸入异丙醇或乙醇有机溶剂中，并沿原方向提出；所述干燥处理为：在温度为80-100℃热板上或烘箱内烘烤5-10分钟。6.根据权利要求1所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列包括：在所述多壁碳纳米管薄膜阵列上旋涂光刻胶层并干燥处理；在所述光刻胶层上，覆盖掩膜版，曝光并显影得到光刻胶微偏振片阵列图形；刻蚀所述多壁碳纳米管薄膜阵列，以将所述图形转移到多壁碳纳米管薄膜层；去除所述光刻胶。7.根据权利要求1-6任一项所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，其特征在于，所述生长片状多壁碳纳米管阵列为使用水辅助化学气相沉积法生长形成顺序排布的多壁碳纳米管阵列。8.根据权利要求7任一项所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，其特征在于，所述生长多壁碳纳米管阵列时，通入气体包括：氩气、氢气、乙烯、湿氩气；或者，通入气体包括：氩气、氢气、乙炔和湿氩气。9.根据权利要求1-6任一项所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列的制作方法，其特征在于，所述制作四个方向的偏振片阵列包括：分别制作0°、45°、90°、135°四个方向的偏振片阵列。10.一种基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，其特征在于，包括：一个或多个偏振片单元，且各偏振片单元包括4个不同方向的偏振片；其中，所述偏振片材料为多壁碳纳米管。11.根据权利要求10任一项所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，其特征在于，还包括:基底；缓冲层，沉积在所述基底上；图形化催化剂层，沉积在所述缓冲层上；其中，所述催化剂层图形与偏振片图形相同，且所述微偏振生长在所述催化剂层上。12.根据权利要求10任一项所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，其特征在于，所述偏振片单元为0°、45°、90°、135°四个方向偏振片，且沿顺时针依次排列形成2*2阵列。13.根据权利要求10-12任一项所述的基于多壁碳纳米管的微偏振片阵列，其特征在于，所述多壁碳纳米管为顺序排布的多壁碳纳米管。

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