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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种离子注入补正方法，包括提供基底和离子注入机，离子注入机台包括等离子体喷淋系统；设置流量值依次递增的等离子体喷淋气体进行连续离子注入，并获取注入时的真空值和束流值；设置流量值依次递减的等离子体喷淋气体进行连续离子注入，并获取注入时的真空值和束流值；根据KP＝lnI确定所述等离子体喷淋系统的补正值；根据补正值调整等离子体喷淋系统，在离子注入时进行补正。本发明设置依次递增的等离子喷淋气体进行连续五次注入，之后再设定依次递减的等离子喷淋气体进行连续五次注入，根据连续注入的真空和束流及KP＝lnI计算注入时的等离子体喷淋补正值，使得等离子喷淋系统能够在离子注入时及时做出准确补正，保障注入晶圆表面电荷量及剂量。
主权项：1.一种离子注入补正方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供基底和离子注入机，所述离子注入机台包括等离子体喷淋系统；步骤二、设置流量值依次递增的等离子体喷淋气体进行连续离子注入，并获取注入时的真空值和束流值；步骤三、设置流量值依次递减的等离子体喷淋气体进行连续离子注入，并获取注入时的真空值和束流值；步骤四、根据KP＝lnI确定所述等离子体喷淋系统的补正值，其中，K为补正值，P为注入时真空值，I为注入离子束流；步骤五、根据所述补正值调整所述等离子体喷淋系统，在离子注入时进行补正。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种离子注入补正方法
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