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申请/专利权人：新疆中部合盛硅业有限公司
摘要：本申请公开了一种激光生成掩膜层的方法。包括以下步骤：选择基底，在基底上沉积钝化层；使用激光在钝化层上进行辐射并在局部位置形成掩膜层；对基底进行清洗；去除掩膜层以及裸露区域的钝化层；形成在基底局部位上的置钝化层。金属栅线局部生长氧化硅，缩减了工艺时间的同时大大减少了生产成本。
主权项：1.一种使用激光生成掩膜层制造局部钝化层的方法，其中，包括以下步骤：选择基底，在基底上沉积钝化层；使用激光在钝化层上进行辐射并在局部位置形成掩膜层；对基底进行清洗；去除掩膜层以及裸露区域的钝化层；形成在基底局部位上的置钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新疆中部合盛硅业有限公司 一种激光生成掩膜层的方法
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