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申请/专利权人：无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
摘要：本发明属于器件加工制造领域，本发明提供了一种超薄金属层的ICP刻蚀方法及其应用，所述ICP刻蚀方法包括先进行第一ICP刻蚀至少去除沟槽外部的超薄金属层，形成去除区域，再于去除区域通过ICP沉积聚合物层对去除区域进行保护，接着进行第二ICP刻蚀去除沟槽内部的超薄金属层，最后通过ICP清洗，去除余下的聚合物层；本发明通过加入聚合物层的沉积步骤，令聚合物在沟槽外部起到保护效果，使得沟槽外部与内部金属的刻蚀速率的差异得到补偿，改善了由于深度不同引起的刻蚀速率均匀性差的问题。该方案可以在传统ICP设备上使用，可以绕过ALE技术的使用限制，对设备配置要求不高，有效节约成本并提高刻蚀速率。
主权项：1.一种超薄金属层的ICP刻蚀方法，其特征在于，包括：提供具有沟槽的衬底，且沟槽外部及沟槽内部覆盖有超薄金属层；进行第一ICP刻蚀，去除沟槽外部的超薄金属层，同时使沟槽内部的超薄金属层受到刻蚀作用，形成至少覆盖所述沟槽外部的去除区域；进行ICP沉积，形成至少覆盖所述去除区域的聚合物层；进行第二ICP刻蚀，去除沟槽内部余下的超薄金属层，同时保持所述去除区域的聚合物层未被刻蚀完全，以保护沟槽外部被所述聚合物层覆盖的衬底不受到刻蚀作用；进行ICP清洗，去除余下的聚合物层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡邑文微电子科技股份有限公司 江苏邑文微电子科技有限公司 一种超薄金属层的ICP刻蚀方法及其应用
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