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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种用于Micro‑LED的外延结构及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。其中，外延结构依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴输运层和P型GaN层；多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；所述量子阱层为InxGa1‑xN层，所述量子垒层包括依次层叠的InyGa1‑yN层、AlzGa1‑zN层和BwGa1‑wN层；x＞y；所述量子垒层的厚度＜10nm；所述空穴输运层包括依次层叠的AlαGa1‑αN层、BβGa1‑βN层和AlN层；w＞α＞β。实施本发明，可提升Micro‑LED在低电流密度下的光效，提升其显示效果。
主权项：1.一种用于Micro-LED的外延结构，其特征在于，包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴输运层和P型GaN层；其中，多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；所述量子阱层为InxGa1-xN层，所述量子垒层包括依次层叠的InyGa1-yN层、AlzGa1-zN层和BwGa1-wN层；x＞y；所述量子垒层的厚度＜10nm；所述空穴输运层包括依次层叠的AlαGa1-αN层、BβGa1-βN层和AlN层；w＞α＞β。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 用于Micro-LED的外延结构及其制备方法、Micro-LED
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