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氮化镓半导体器件 

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申请/专利权人:英诺赛科(珠海)科技有限公司

摘要:本发明提供一种氮化镓半导体器件,氮化镓半导体器件包括源极焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、栅极总线、多个栅极指状部、多个源极触件和多个漏极触件;栅极指状部、源极触件和漏极触件均沿着第一方向延伸并沿着第二方向布置,第二方向垂直于第一方向,每个栅极指状部位于相邻的源极触件和漏极触件之间;源极焊盘和漏极焊盘沿着第一方向布置,源极触件和漏极触件均位于源极焊盘和漏极焊盘之间;栅极总线沿着第二方向延伸,多个栅极指状部通过栅极总线与栅极焊盘连接,多个源极触件均与源极焊盘连接,多个漏极触件均与漏极焊盘连接;位于第二方向中部的栅极指状部的长度小于位于第二方向两端的栅极指状部的长度。该氮化镓半导体器件内部温度分布均匀。

主权项:1.氮化镓半导体器件,其特征在于,包括源极焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、栅极总线、多个栅极指状部、多个源极触件和多个漏极触件;所述栅极指状部、所述源极触件和所述漏极触件均沿着第一方向延伸并沿着第二方向布置,所述第二方向垂直于所述第一方向,每个所述栅极指状部位于相邻的所述源极触件和所述漏极触件之间;所述源极焊盘和所述漏极焊盘沿着所述第一方向布置,所述源极触件和所述漏极触件均位于所述源极焊盘和所述漏极焊盘之间;所述栅极总线沿着所述第二方向延伸,多个所述栅极指状部通过所述栅极总线与所述栅极焊盘连接,多个所述源极触件均与所述源极焊盘连接,多个所述漏极触件均与所述漏极焊盘连接;位于所述第二方向中部的所述栅极指状部的长度小于位于所述第二方向两端的所述栅极指状部的长度。

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权利要求:

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