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半导体存储装置以及编程方法 

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申请/专利权人:华邦电子股份有限公司

摘要:本发明提供一种半导体存储装置以及编程方法,其通过经改善的ISPP来进行存储单元的编程。本发明的NAND型闪速存储器的编程方法包括选择存储单元阵列的页面,对已选择的页面施加基于ISPP的编程脉冲的步骤。由ISPP施加的编程脉冲包含编程检验因最初的编程脉冲而变成不合格的牺牲性的编程脉冲、及具有比其他编程脉冲的任一者的增加部分均大的增加部分的最后的编程脉冲。

主权项:1.一种半导体存储装置,包括:与非型存储单元阵列;以及编程部件,为了对所述存储单元阵列的经选择的页面进行编程,而施加基于增量步进脉冲编程的编程脉冲;由所述编程部件施加的编程脉冲包含编程检验因最初的编程脉冲而变成不合格的牺牲性的编程脉冲,其中,所述半导体存储装置还包括寄存器,所述编程部件判定选择页面的固定数以上的存储单元是否已通过所述牺牲性的编程脉冲而合格,在已合格的情况下,在所述寄存器中设置用于指示所述牺牲性的编程脉冲的初期电压过高的旗标,在编程动作的开始时,所述编程部件判定在所述寄存器中是否设置有所述旗标,当设置有所述旗标时降低在所述编程动作时施加的所述牺牲性的编程脉冲的初期电压。

全文数据:

权利要求:

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