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申请/专利权人：上海芯轫科技有限公司
摘要：本发明公开了一种EDA中基于神经辐射场的电磁场求解方法；该方法包括：步骤1：随机生成2D截面图案；步骤2：使用电磁场分析软件提取空间的电磁场分布；步骤3：使用图案和电磁场训练神经辐射场的空间特征，获得结果特征；步骤4：根据结果特征估计任意2D图案的电磁场；步骤5：通过插值获得任意空间的电磁场分布。本发明方法能提高电磁场求解的精度，提升求解速度，缩短设计周期；能够适应各种不同的电路布局，具有良好的通用性。
主权项：1.一种EDA中基于神经辐射场的电磁场求解方法，其特征在于，包括以下步骤：随机生成2D截面图案，用于模拟集成电路中的不同布局结构；对生成的2D截面图案进行电磁场分析，提取空间电磁场分布，得到电磁场分析数据；从收集的电磁场分析数据中提取关键特征，用这些特征训练建立基于神经辐射场骨架的预测模型；基于预测模型估计任意2D图案的电磁场分布，实现电磁场预测；通过插值获得任意空间的电磁场。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海芯轫科技有限公司 一种EDA中基于神经辐射场的电磁场求解方法
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