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申请/专利权人：保定通美晶体制造有限责任公司;朝阳通美晶体科技有限公司
摘要：本发明属于涉及晶片处理技术领域，本发明公开了一种砷化镓晶片的处理工艺，包括如下步骤：对砷化镓晶片顺次进行研磨和清洗，得到处理后的砷化镓晶片；在研磨的同时添加研磨液；所述研磨中，研磨的压力为4.5～6kg，研磨的时间为720～810s，下盘的转速为5～8rpm，下盘、外齿圈和中心齿圈的转速比为3:2:1；所述清洗的步骤为：将研磨后晶片顺次进行金属清洗剂的浸泡、第一次温水浴、喷淋、氨水浸泡、第一次溢流槽浸泡、第二次温水浴、腐蚀槽清洗、第三次温水浴和第二次溢流槽浸泡。本发明所述晶片处理工艺的晶片破损率减低了8～16％，节约了加工成本，加工能力强，采用轻压力和慢速研磨工艺，处理所得的晶片具有良好的平整度。
主权项：1.一种砷化镓晶片的处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：对砷化镓晶片顺次进行研磨和清洗，得到处理后的砷化镓晶片；在研磨的同时添加研磨液；所述研磨中，研磨的压力为4.5～6kg，研磨的时间为720～810s，下盘的转速为5～8rpm，下盘、外齿圈和中心齿圈的转速比为3:2:1；所述清洗的步骤为：将研磨后晶片顺次进行金属清洗剂的浸泡、第一次温水浴、喷淋、氨水浸泡、第一次溢流槽浸泡、第二次温水浴、腐蚀槽清洗、第三次温水浴和第二次溢流槽浸泡。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 保定通美晶体制造有限责任公司 朝阳通美晶体科技有限公司 一种砷化镓晶片的处理工艺
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