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申请/专利权人:浙江芯晟半导体科技有限责任公司
摘要:本发明涉及一种CMP工艺后的晶圆清洗方法。CMP工艺后的晶圆清洗方法包括:采用超纯水对CMP工艺后的晶圆表面进行第一冲洗步骤,去除所述晶圆表面的CMP工艺研磨液;采用具有第一温度的有机溶剂在第一压力下对所述晶圆表面进行第二冲洗步骤,去除CMP工艺后所述晶圆表面的残留物,所述第一温度大于50℃,所述第一压力大于500PSI;采用清洗试剂对所述晶圆表面进行第三清洗步骤,去除所述第二冲洗步骤后所述晶圆表面的残留物;在所述晶圆表面通过气体进行干燥步骤,所述干燥步骤利用气体旋转吹扫晶圆表面。该CMP工艺后的晶圆清洗方法可以提高晶圆的清洗效率和清洗效果,提高晶圆洁净度,降低晶圆表面缺陷,进而提高产品的良率,降低生产成本。
主权项:1.一种CMP工艺后的晶圆清洗方法,其特征在于,包括:采用超纯水对CMP工艺后的晶圆表面进行第一冲洗步骤,去除所述晶圆表面的CMP工艺研磨液;采用具有第一温度的有机溶剂在第一压力下对所述晶圆表面进行第二冲洗步骤,去除CMP工艺后所述晶圆表面的残留物,所述第一温度大于50℃,所述第一压力大于500PSI;采用清洗试剂对所述晶圆表面进行第三清洗步骤,去除所述第二冲洗步骤后所述晶圆表面的残留物;在所述晶圆表面通过气体进行干燥步骤,所述干燥步骤利用所述气体旋转吹扫所述晶圆表面。
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