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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本发明涉及一种具有多个沟槽的改进的晶片和制造半导体装置的方法。所述晶片包括芯片区域和设置在芯片区域之间的第一划线道，以及设置在第一划线道中的第一沟槽图案。第一划线道在第一方向上延伸。第一沟槽图案包括在第一方向上彼此间隔开的多个第一沟槽组。
主权项：1.一种衬底，包括：芯片区域；第一划线道，其设置在所述芯片区域之间；以及第一沟槽图案，其设置在所述第一划线道中，其中，所述第一划线道在第一方向上延伸，并且所述第一沟槽图案包括在所述第一方向上彼此间隔开的多个第一沟槽组。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 具有沟槽的晶片和制造半导体装置的方法
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