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高分子复合材料界面层间邻近度的测试方法 

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申请/专利权人:深圳职业技术学院

摘要:本发明公开了一种高分子复合材料界面层间邻近度的测试方法,具体为基于荧光共振能量转移技术表征高分子复合材料界面层间高分子链与金属、无机基底之间相对距离的方法。本发明将荧光供体和荧光受体分子分别接枝到高分子复合材料的高分子链上和基底表面,采用表面反射的方式采集不同工艺处理后复合材料的荧光光谱,通过比较荧光光谱中荧光受体和供体特征峰的强度比值大小,获得界面层间高分子链与基底之间邻近度,根据邻近度的变化可判断不同工艺处理的复合材料界面结合力的强弱。

主权项:1.一种高分子复合材料界面层间邻近度的测试方法,其特征在于,所述测试方法包括以下步骤:1将荧光供体分子通过共聚或者侧基反应的方法接枝到高分子链上,得到含有荧光供体的高分子基体;2通过阳极氧化或化学刻蚀的方法在金属或无机材料基底表面制备纳米孔道,通过化学修饰的方法将荧光受体分子接枝到所述纳米孔道的表面,得到表面含有荧光受体的基底;3通过熔体渗透的方法,将所述含有荧光供体的高分子基体与所述含有荧光受体的基底表面进行复合,经过热处理得到高分子基底复合材料;4通过表面反射的方法采集所述高分子基底复合材料的荧光光谱,通过比较荧光光谱中荧光受体和荧光供体特征峰的强度比值,获得界面层间高分子链与基底的邻近度。

全文数据:

权利要求:

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