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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要包括：先将一上晶片接合至一下晶片，其中该上晶片包含一第一金属内连线且该第一金属内连线包含一第一阻障层由该上晶片底表面暴露出来，然后形成一介电层于该上晶片底表面，再形成一第二金属内连线于该介电层内并连接该第一金属内连线，其中该第二金属内连线包含一第二阻障层且该第一阻障层以及该第二阻障层包含一H形。
主权项：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：将上晶片接合至下晶片，其中该上晶片包含第一金属内连线且该第一金属内连线包含第一阻障层；形成介电层于该上晶片底表面；以及形成第二金属内连线于该介电层以及该上晶片内并连接该第一金属内连线，其中该第二金属内连线包含第二阻障层且该第一阻障层以及该第二阻障层包含H形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
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