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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开了多次可编程器件及其制造方法，所述多次可编程器件包括：衬底，衬底包括阱区和隔离区，隔离区与阱区相邻设置，阱区包括在阱区延伸方向上排列的与阱区的导电类型不同的源区和漏区以及二者之间的沟道区；栅叠层，包括层叠设置的栅介质层和浮栅结构，位于沟道区的表面且栅介质层位于沟道区和浮栅结构之间；控制栅，位于隔离区表面上与浮栅结构相对的位置，且与浮栅结构之间通过栅间介质层隔开。本申请实现了多次可编程器件的体积小型化。
主权项：1.一种多次可编程器件，包括：衬底，所述衬底包括阱区和隔离区，所述隔离区与所述阱区相邻设置，所述阱区包括在所述阱区延伸方向上排列的与所述阱区的导电类型不同的源区和漏区以及二者之间的沟道区；栅叠层，包括层叠设置的栅介质层和浮栅结构，位于所述沟道区的表面且所述栅介质层位于所述沟道区和所述浮栅结构之间；控制栅，位于所述隔离区表面上与所述浮栅结构相对的位置，且与所述浮栅结构之间通过栅间介质层隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 多次可编程器件及其制造方法
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