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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本公开实施例公开了一种存储器及其制备方法、存储器系统和电子设备。存储器包括键合的第一半导体结构和第二半导体结构；第一半导体结构包括第一介质层和位于第一介质层中的第一导电柱；第二半导体结构包括第二介质层和位于第二介质层中的第二导电柱；第二导电柱和第一导电柱连接；存储器还包括位于第一介质层和或第二介质层中的散热通道；其中，散热通道与第一导电柱和或第二导电柱间隔设置。
主权项：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括键合的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构包括第一介质层和位于所述第一介质层中的第一导电柱；所述第二半导体结构包括第二介质层和位于所述第二介质层中的第二导电柱；所述第二导电柱和所述第一导电柱连接；所述存储器还包括位于所述第一介质层和或所述第二介质层中的散热通道；其中，所述散热通道与所述第一导电柱和或所述第二导电柱间隔设置。
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百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器及其制备方法、存储器系统和电子设备
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