龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：哈娄利公司
申请日：2001-12-05
公开（公告）日：2009-05-27
公开（公告）号：CN100492526C
主分类号：G11C7/20(2006.01)I
分类号：G11C7/20(2006.01)I;G11C11/34(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I
优先权：["2000.12.5 US 60/251,299"]
专利状态码：失效-未缴年费专利权终止
法律状态：2014.02.05#未缴年费专利权终止;2009.05.27#授权;2004.02.25#实质审查的生效;2003.01.01#专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移;2002.09.04#公开
摘要：在习知技术中，在位元散布端接上正偏压及在控制闸极接上负偏压，抹除双MONOS记忆体上的资料，另一字组闸极与基质端则接地，由于控制闸极通道长度较短，只有载体逸出长度的数倍，相邻于控制闸极的字组闸极通道之电压，会影响抹除的特性及速度，将字组闸极接上一负电压可增进抹除的速度，而字组闸极接上一正电压时，会降低抹除速度，藉有效的对记忆体阵列作偏压，在无区域损失的情况下，可抹除字组线或甚至是单一记忆体单元，与习知中藉三重井区或物理的区块阻隔来达到抹除区块，而在不需对基质作偏压及对字组线电压程式干扰保护下，抹除接近F-N通道亦包括于本发明中。
主权项：1.一种由双MONOS单元构成的非挥发性记忆体的抹除方法，该方法包括下列步骤：a.将一通道区域的第一侧之第一传导区偏压至与位元线BLn相连的一第一正电压；b.将一通道区域的第二侧之第二传导区偏压至与位元线BLn+1相连的一第二正电压；c.将第一传导闸极偏压至与控制闸极线CGn相连的一第一负电压；d.将第二传导闸极偏压至与控制闸极线CGn+1相连的该第一负电压；e.将耦合至一未选择字组线WLn+1的一第三传导闸极偏压至一第四正电压；f.在耦合至选择字组线WLn之记忆体单元的该第一传导闸极下，在一绝缘体中产生一电场；以及g.将与选择字组线WLn相连的该第三传导闸极偏压至0伏特或一负电压，并抹除与该选择字组线耦合的多个记忆体单元。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈娄利公司 利用字组电压帮助双MONOS单元写入与抹除的方法及装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号