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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2006-12-12
公开（公告）日：2009-12-30
公开（公告）号：CN100576472C
主分类号：H01L21/336(2006.01)I
分类号：H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I
优先权：
专利状态码：有效-专利权的转移
法律状态：2011.12.28#专利权的转移;2009.12.30#授权;2008.08.13#实质审查的生效;2008.06.18#公开
摘要：一种具有非晶硅a-Si金属-氧化物-氮化物-氧化物半导体MONOS存储单元结构的半导体器件。该器件包括：基片；覆盖基片的电介质层；以及嵌入电介质层中的一个或多个源区或漏区，其中n型a-Si和电介质层有共面表面。另外，该器件包括p-i-na-Si二极管结。该器件还包括覆盖a-Sip-i-n二极管结的氧化物-氮化物-氧化物ONO电荷捕获层和覆盖ONO层的金属控制柵。提供了一种制造a-SiMONOS存储单元结构的方法并且可以重复该方法以便三维地扩展所述结构。
主权项：1.一种制造非晶硅a-Si金属-氧化物-氮化物-氧化物半导体MONOS存储单元结构的方法，该方法包括：提供基片；在所述基片上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成一个或多个源区或漏区，所述一个或多个源区或漏区的每一个与第一表面相关并且包括n型a-Si层、势垒层和传导层，所述n型a-Si层在所述势垒层上，所述势垒层覆盖所述传导层，所述第一表面由n型a-Si组成；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层与第二表面相关，所述第二表面基本上与所述第一表面共面；形成覆盖所述第一表面和所述第二表面的i型a-Si层；形成覆盖所述i型a-Si层的p型a-Si层；形成覆盖所述p型a-Si层的氧化物-氮化物-氧化物层；形成覆盖所述氧化物-氮化物-氧化物层的金属层；以及通过图案化所述金属层来形成至少一个控制栅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 具有非晶硅MONOS存储单元结构的半导体器件及其制造方法
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