申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2008-07-02

公开（公告）日：2012-08-22

公开（公告）号：CN101621005B

主分类号：H01L21/336(2006.01)I

分类号：H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I

优先权：

专利状态码：有效-专利权的转移

法律状态：2012.11.28#专利权的转移;2012.08.22#授权;2010.03.03#实质审查的生效;2010.01.06#公开

摘要：本发明提供具有薄膜晶体管TFT金属氧化物-氮化物-氧化物-半导体MONOS或半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体SONOS存储单元结构的器件。该器件包括衬底、在衬底上的介电层和嵌入该介电层的一个或多个源极或漏极区。介电层与第一表面相连。所述一个或多个源极或漏极区的每个包括在扩散势垒层上的N+多晶硅层，所述扩散势垒层在导电层上。该N+多晶硅层具有与第一表面基本上共面的第二表面。

主权项：一种制造薄膜晶体管TFT金属氧化物‑氮化物‑氧化物‑半导体MONOS或半导体‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑半导体SONOS存储单元结构的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层包括二氧化硅；在所述第一绝缘层上形成一个或多个源极或漏极区，所述一个或多个源极或漏极区的每一个与第一表面相连并包括N+多晶硅层、势垒层和第一导电层，所述N+多晶硅层在所述势垒层上，所述势垒层覆盖所述第一导电层，所述第一表面由N+多晶硅构成；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层与第二表面相连，所述第二表面与第一表面基本上共面；形成覆盖所述第一表面和第二表面的P‑多晶硅层，所述P‑多晶硅层接触源极区与漏极区并能够形成从所述源极区到所述漏极区的沟道；形成覆盖所述P‑多晶硅层的氧化物‑氮化物‑氧化物ONO层；形成覆盖所述氧化物‑氮化物‑氧化物层的第二导电层，所述第二导电层是包括铝或钛或氮化钛的金属或金属合金，或者是重掺杂的P+多晶硅层；和通过图案化所述第二导电层形成至少一个控制栅极；其中所述在第一绝缘层上形成一个或多个源极或漏极区的方法包括：在所述第一绝缘层上形成第一导电层，所述第一导电层是包括TiSi2的金属硅化物；在所述第一导电层上形成势垒层，所述势垒层是包括TiN的金属氮化物；在所述势垒层上形成N+多晶硅层；图案化所述N+多晶硅层、势垒层和第一导电层，以形成包括所述第一表面的一个或多个限定区域；重复上述所有步骤以三维集成存储单元结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 TFT MONOS或SONOS存储单元结构

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