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【发明授权】双MONOS金属位线阵列寻址、读取、程序化方法及装置_哈娄利公司_02146167.8 

申请/专利权人:哈娄利公司

申请日:2002-10-30

公开(公告)日:2010-06-16

公开(公告)号:CN1494086B

主分类号:G11C16/04(2006.01)I

分类号:G11C16/04(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I

优先权:

专利状态码:失效-未缴年费专利权终止

法律状态:2012.12.26#未缴年费专利权终止;2010.06.16#授权;2004.07.07#实质审查的生效;2004.05.05#公开

摘要:本发明提供一种双MONOS金属位线阵列的寻址方法,其读取及程序化一双MONOS金属位线阵列,其使用一具有X、Y及Z维的三维程序化方法,字线地址为X地址,控制栅极线地址为X及Z地址的函数、且位线地址为X及Y地址的函数,因为内存阵列的位线及控制栅极线呈直角,所以可清除一单个单元及一相邻的内存,该相邻的内存具有相同已选择位及控制栅极线,其要抑制藉由施加适当电压到未选择字组、控制栅极及位线上的清除。

主权项:一种双MONOS金属位线阵列的寻址方法,包括:a把一低字线地址到一高字线地址标记为字线;b把一低控制栅极地址到一高控制栅极地址标记为控制栅极线;c把一低位线地址数目到一高位线地址数目标记为位线,且对于每个该地址数目有一个“偶数”及“奇数”的额外指定;d选择一组三维地址“X”、“Y”、及“Z”;e选择该字线地址作为“X”地址;f选择该控制栅极地址作为“X”及“Z”地址的函数;及g选择该位线地址作为“Y”及“Z”地址的函数,且不管控制栅极地址是“偶数”或“奇数”。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 哈娄利公司 双MONOS金属位线阵列寻址、读取、程序化方法及装置

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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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