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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日：2020-01-09
公开（公告）日：2020-07-17
公开（公告）号：CN111426994A
主分类号：G01R33/09(20060101)
分类号：G01R33/09(20060101)
优先权：["20190109 US 16/243,450"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开
摘要：本公开涉及使用垂直各向异性的杂散场鲁棒XMR传感器。磁阻传感器具有传感器平面，在该传感器平面中，磁阻传感器对磁场敏感。磁阻传感器包括：具有参考磁化的参考层，该参考磁化是固定的并且与传感器平面的平面内轴线对准；以及靠近参考层设置的磁性自由层，该磁性自由层具有沿着在传感器平面的平面外的平面外轴线对准的自由层磁化。自由层磁化被配置为在存在外部平面内磁场的情况下远离平面外轴线并且朝向传感器平面倾斜。
主权项：1.一种具有传感器平面的磁阻传感器，在所述传感器平面中，所述磁阻传感器对磁场敏感，所述磁阻传感器包括：参考层，具有参考磁化，所述参考磁化是固定的并且与所述传感器平面的平面内轴线对准；以及磁性自由层，被设置为靠近所述参考层，所述磁性自由层具有沿着在所述传感器平面的平面外的平面外轴线对准的自由层磁化，其中所述自由层磁化被配置为在存在外部平面内磁场的情况下远离所述平面外轴线并且朝向所述传感器平面倾斜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 使用垂直各向异性的杂散场鲁棒XMR传感器
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