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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日：2024-05-28
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248738A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L23/373;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、第一阱区、体区、漂移区、场板、源极、漏极和栅极，晶体管还包括：第二阱区，形成于衬底远离体区的一侧；第一保护环，形成于第二阱区内；碳化硅隔离区，形成于漂移区与第二阱区之间，碳化硅隔离区包括第一隔离区和第二隔离区，第一隔离区与漂移区紧贴，第一隔离区具有第二导电类型，第二隔离区与第二阱区紧贴，第二隔离区由衬底的上表面向下延伸至第一阱区底部；其中，第二导电类型与第一导电类型不同。本发明能够降低横向双扩散场效应晶体管横向面积，提高器件开关速度，提高器件散热性能。
主权项：1.一种横向双扩散场效应晶体管，包括：衬底、第一阱区、体区、漂移区、场板、源极、漏极和栅极，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：第二阱区，形成于所述衬底远离所述体区的一侧，具有与体区相同的第一导电类型；第一保护环，形成于所述第二阱区内，具有第一导电类型的离子重掺杂；碳化硅隔离区，形成于所述漂移区与所述第二阱区之间，所述碳化硅隔离区包括第一隔离区和第二隔离区，所述第一隔离区与所述漂移区紧贴，所述第一隔离区具有第二导电类型，所述第二隔离区与所述第二阱区紧贴，所述第二隔离区由所述衬底的上表面向下延伸至所述第一阱区底部；其中，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
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