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申请/专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日：2021-04-01
公开（公告）日：2021-10-12
公开（公告）号：CN113495234A
主分类号：G01R33/09(20060101)
分类号：G01R33/09(20060101)
优先权：["20200401 US 16/837,614"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开
摘要：本公开涉及线性范围增加的AMRXMR传感器。描述各向异性磁阻AMR传感器。AMR传感器具有带有不同宽度的多个恒定宽度部分的barber电极结构。在一些实施例中，更大恒定宽度的两个部分位于AMR传感器的端部，其中较小宽度的部分位于它们之间。较大宽度的部分的总长度可以小于较小宽度的部分的总长度。所描述的结构可以提供增强的线性度。
主权项：1.具有改善的线性度的各向异性磁阻AMR传感器，包括：磁阻材料条，该条包括具有第一恒定宽度的第一部分和具有大于所述第一恒定宽度的第二恒定宽度的第二部分；第一多个导电条，布置在所述第一部分上并且相对于所述磁阻材料条以第一角度定向；和第二多个导电条，设置在所述第二部分上并且相对于所述磁阻材料条以第二角度定向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 亚德诺半导体国际无限责任公司 线性范围增加的AMR（XMR）传感器
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