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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本发明公开了一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域；器件结构依次包括：衬底；位于衬底上方的非故意掺杂UIDβ‑Ga2O3缓冲层；位于缓冲层上方的两侧被刻蚀的非故意掺杂UIDβ‑Ga2O3台面状沟道层；位于台面状沟道层左上方的源电极，中间上方的本征β‑AlGa2O3间隔层，以及右上方的漏电极；位于间隔层上方的n型掺杂β‑AlGa2O3势垒层；位于势垒层上方的β‑Ga2O3盖帽层和钝化层，以及位于盖帽层上方的栅电极。本发明提供的HFET器件结构在栅电极和势垒层之间生长了一层盖帽层，有效地减小了栅极的泄露电流，提高了器件的击穿电压和可靠性；此外，本发明采用钝化层以改善器件内部的电场分布，进一步提高了器件的击穿电压。
主权项：1.一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件，包括衬底和依序层叠设置在衬底一端面上的缓冲层和沟道层，其特征在于，其还包括：源电极，设置在沟道层远离缓冲层的端面一侧；漏电极，设置在沟道层远离缓冲层的端面另一侧；间隔层，设置在源电极和漏电极之间的沟道层上；势垒层，设置在间隔层远离沟道层的端面上；盖帽层，设置在势垒层远离间隔层的端面上，且盖帽层在势垒层上的投影边缘不超出势垒层边缘；栅电极，设置在盖帽层远离势垒层的端面上；钝化层，设置在势垒层远离间隔层的端面上且将盖帽层包覆其中，所述栅电极的上端高出钝化层的上端面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法
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