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申请/专利权人:英特尔公司
摘要:本公开的发明名称是用于在堆叠纳米带装置上的双金属栅的插塞和凹进过程。本文所公开的实施例包括半导体装置以及制作这类装置的方法。在实施例中,半导体装置包括:多个堆叠半导体沟道,包括第一半导体沟道以及在第一半导体沟道之上的第二半导体沟道。在实施例中,间距是在第一半导体沟道与第二半导体沟道之间。半导体装置进一步包括栅电介质,该栅电介质包围多个堆叠半导体沟道的半导体沟道的单独半导体沟道。在实施例中,第一功函数金属包围第一半导体沟道,而第二功函数金属包围第二半导体沟道。
主权项:1.一种半导体装置,包括:多个堆叠半导体沟道,包括:第一半导体沟道;以及所述第一半导体沟道之上的第二半导体沟道,其中间距是在所述第一半导体沟道与所述第二半导体沟道之间;栅电介质,包围所述多个堆叠半导体沟道的所述半导体沟道的单独半导体沟道;第一功函数金属,包围所述第一半导体沟道;以及第二功函数金属,包围所述第二半导体沟道。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 英特尔公司 用于在堆叠纳米带装置上的双金属栅的插塞和凹进过程
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