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申请/专利权人：北京工业大学
摘要：本发明公开了一种光子级联GaAs‑OI基片上微腔半导体激光器及制备方法，GaAs‑OI复合晶圆包括沿上下方向依次设置的掺镧系稀土离子单晶Si衬底、介质层和单晶GaAs薄膜层；GaAs‑OI复合晶圆的单晶GaAs薄膜层上生长有VCSEL激光器外延结构；GaAs‑OI复合晶圆的Si衬底下表面设有第一反射层，VCSEL激光器外延结构的上表面设有第二反射层。本发明利用半导体VCSEL激光器激射第一波长激光泵浦掺杂在GaAs‑OI复合晶圆结构单晶Si衬底层的镧系稀土离子，产生第二波长的激光；通过绝缘体上半导体结构易于进一步提高片上微腔激光器器件的集成度并抑制器件短沟道效应。
主权项：1.一种光子级联GaAs-OI基片上微腔半导体激光器，其特征在于，包括：GaAs-OI复合晶圆；所述GaAs-OI复合晶圆包括沿上下方向依次设置的掺镧系稀土离子单晶Si衬底、介质层和单晶GaAs薄膜层；所述GaAs-OI复合晶圆的单晶GaAs薄膜层上生长有VCSEL激光器外延结构；所述GaAs-OI复合晶圆的Si衬底下表面设有第一反射层，所述VCSEL激光器外延结构的上表面设有第二反射层，以构成片上微腔激光器的谐振模式；所述VCSEL激光器外延结构激射的第一波长激光在所述GaAs-OI复合晶圆的掺镧系稀土离子单晶Si衬底处泵浦，使镧系稀土离子相关能级上粒子数反转，激射相应能级第二波长激光；所述第一反射层和第二反射层为对第二波长反射的反射层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种光子级联GaAs-OI基片上微腔半导体激光器及制备方法
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