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申请/专利权人：北京中电华大电子设计有限责任公司
申请日：2022-10-17
公开（公告）日：2023-03-24
公开（公告）号：CN218729909U
主分类号：G11C29/08
分类号：G11C29/08
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2023.03.24#授权
摘要：本实用新型公开了一种eFlash电路和模拟电路共用测试PAD的电路结构。其中模拟测试电路采用NMOS控制传送0.5～2.75V电位到测试PAD上，eFlash测试电路采用PMOS控制传送4V电位到测试PAD。因两者在电源和控制方式上的差异，简单的连接在一起共用测试PAD容易引起漏电，因此设计此电路。本实用新型的特征在包括一个NMOS开关管，三个PMOS开关管和一个开关控制电路：所述MOS开关管在导通时可以正确传输待测电位，关闭时则处于截止状态；所述开关控制电路为改进型电平移位器电路，其输出信号施加在MOS开关管的栅极来控制MOS开关管的导通或截止。其优点在于当电源电位较低时，电平位移器不工作，避免漏电流产生。
主权项：1.一种eFlash电路和模拟电路共用测试PAD的电路结构，其特征在于包括NMOS开关管NM0、PMOS开关管PM0，PMOS开关管PM1，PMOS开关管PM2、控制电路C2，其中：所述NMOS开关管NM0：NMOS开关管NM0的源极接芯片测试PADTM，NMOS开关管NM0的漏极接模拟电路待测电平TM_ana，NMOS开关管NM0的栅极接控制信号CTRL1，NMOS开关管NM0的衬底接地；所述PMOS开关管PM0：PMOS开关管PM0的源极和衬底接芯片测试PADTM，PMOS开关管PM0的漏极接PMOS开关管PM1的源极，PMOS开关管PM0的栅极接控制电路C2的输出G2；所述PMOS开关管PM1：PMOS开关管PM1的源极接PMOS开关管PM0的漏极，PMOS开关管PM1的漏极接PMOS开关管PM2的源极，PMOS开关管PM1的栅极接VD15电平，PMOS开关管PM1的衬底接eFlash电路待测电平TM_ef；所述PMOS开关管PM2：PMOS开关管PM2的源极接PMOS开关管PM1的漏极，PMOS开关管PM2的漏极和衬底接eFlash电路待测电平TM_ef，PMOS开关管PM2的栅极接控制信号CTRL2；所述控制电路C2：输入端口接控制信号CTRL2，输出端口G2与PMOS开关管PM0的栅极连接，电源端接芯片测试PADTM。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中电华大电子设计有限责任公司 一种eFlash电路和模拟电路共用测试PAD的电路结构
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