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【发明公布】PAD电极层制备方法及离子束辅助蒸镀设备_重庆康佳光电技术研究院有限公司_202211478896.5 

申请/专利权人:重庆康佳光电技术研究院有限公司

申请日:2022-11-23

公开(公告)日:2024-05-24

公开(公告)号:CN118073511A

主分类号:H01L33/62

分类号:H01L33/62;C23C14/24;C23C14/22;C23C14/16

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.11#实质审查的生效;2024.05.24#公开

摘要:本申请提供一种PAD电极层制备方法及离子束辅助蒸镀设备,离子束辅助蒸镀设备用于制备PAD电极层,方法包括:提供一主体芯片,主体芯片包括衬底层、外延层、透明导电层、P内接触电极层、N内接触电极层以及钝化保护层;钝化保护层覆盖P内接触电极层与N内接触电极层;通过刻蚀至少钝化保护层以露出P内接触电极层以及N内接触电极层;以离子束辅助蒸镀的方式至少在P内接触电极层以及N内接触电极层上沉积PAD电极层,由于高动能的荷能离子与沉积原子的级联碰撞效应,从而可以提升PAD电极层的致密性、稳定性,以增加焊接金线时产生的金球与PAD电极之间的共金面积,提升芯片寿命及产品可靠性。

主权项:1.一种微型发光二极管芯片的PAD电极层制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供一主体芯片,所述主体芯片包括衬底层、外延层、透明导电层、P内接触电极层、N内接触电极层以及钝化保护层;所述钝化保护层覆盖所述P内接触电极层与所述N内接触电极层;通过刻蚀至少所述钝化保护层以露出所述P内接触电极层以及所述N内接触电极层;以离子束辅助蒸镀的方式至少在所述P内接触电极层以及所述N内接触电极层上沉积PAD电极层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 重庆康佳光电技术研究院有限公司 PAD电极层制备方法及离子束辅助蒸镀设备

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