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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：一种磊晶结构制造方法，包含以下步骤：A.提供一碳化硅SiC基板，所述碳化硅基板具有无偏角的一碳面C‑face；B.于所述碳化硅基板的所述碳面上形成一非晶结构层；C.于所述非晶结构层上方沉积一第一III族氮化物层；D.于所述第一III族氮化物层上方沉积一第二III族氮化物层，通过所述非晶结构层的形成，能使得所述第二III族氮化物层的上表面呈平整光滑状态。
主权项：1.一种磊晶结构制造方法，包含以下步骤：A.提供一碳化硅基板，所述碳化硅基板具有无偏角的一碳面；B.于所述碳化硅基板的所述碳面上形成一非晶结构层；C.于所述非晶结构层上方沉积一第一III族氮化物层；D.于所述第一III族氮化物层上方沉积一第二III族氮化物层。
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百度查询： 环球晶圆股份有限公司 磊晶结构及其制造方法
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