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申请/专利权人：麦斯克电子材料股份有限公司
摘要：一种减小8吋重掺N型硅单晶内应力的拉晶工艺，所述拉晶工艺包括以下步骤：S1，化料工序：原料进入单晶炉的坩埚内并熔化为液体熔融硅；S2，稳定工序：调整熔融硅的液面使其位于单晶炉的导流筒下方；S3，经过引晶、放肩、转肩、等径以及收尾工序后停炉，晶棒进入冷却工序；通过调整S1和S2中的氩气流量和炉压以及S3中等径工序的拉速、收尾速率及停炉过程的晶棒冷却控制，以减小8吋重掺N型硅单晶产生的内应力，改善边缘位错情况。
主权项：1.一种减小8吋重掺N型硅单晶内应力的拉晶工艺，所述拉晶工艺包括以下步骤：S1，化料工序：原料进入单晶炉的坩埚内并熔化为液体熔融硅；S2，稳定工序：调整熔融硅的液面使其位于单晶炉的导流筒下方；S3，经过引晶、放肩、转肩、等径以及收尾工序后停炉，晶棒进入冷却工序；其特征在于：通过调整S1和S2中的氩气流量和炉压以及S3中等径工序的拉速，以减小8吋重掺N型硅单晶产生的内应力。
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百度查询： 麦斯克电子材料股份有限公司 一种减小8吋重掺N型硅单晶内应力的拉晶工艺
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