申请/专利权人：广东工业大学

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117937906A

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08;H02M1/00;H02H7/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种具有dvdt噪声抑制的低延时GaN半桥栅极驱动电路，包括一个双输入的防直通保护小死区电路、一个自补偿低压转高压电平移位器、一个自补偿高压转低压电平移位器、一个栅电位监控的自举控制电路、一个自举电容和两个缓冲器。其中采取自补偿电平移位器解决因dvdt引起的噪声问题，采取栅电位监控的自举控制电路解决自举电容过充问题，从而实现驱动电路的dvdt噪声免疫与过压保护，从而令GaN半桥电路稳定工作的同时避免电路器件的过压击穿损坏。

主权项：1.一种具有dvdt噪声抑制的低延时GaN半桥栅极驱动电路，其特征在于，用于驱动MH、ML两个GaN功率器件，MH的漏极接外部输入电压VIN，MH的源极连接ML的漏极以及信号VSW，ML的源极接地；所述驱动电路包括一个双输入的防直通保护小死区电路、一个自补偿低压转高压电平移位器、一个自补偿高压转低压电平移位器、一个栅电位监控的自举控制电路、一个自举电容和两个缓冲器Buffer1、Buffer2，其中：双输入的防直通保护小死区电路的输入信号为PWM-H、PWM-L、VGHb、VGL，输出信号为VDH、VDL；其中，PWM-H表示对MH的控制信号，PWM-L表示对ML的控制信号，VGHb表示MH的栅极电位经过自补偿高压转低压电平移位器处理的结果，由自补偿高压转低压电平移位器的输出提供；VGL表示ML的栅极电位，由Buffer2的输出端提供；VDH表示PWM-H经过处理后的输出信号，连接自补偿低压转高压电平移位器的输入端，VDL表示PWM-L经过处理后对ML的控制信号，连接缓冲器Buffer2的输入端；栅电位监控的自举控制电路的输入信号为VGL、VGHb，输出信号为VBST；其中，VBST表示对自举电容CBST充电信号，连接自举电容CBST的上极板，自举电容CBST的下极板连接开关节点VSW作为浮动地，以VSW作为浮动地电平；栅电位监控的自举控制电路和自举电容CBST共同组成自举电源轨VBST-VSW，该电源轨为缓冲器Buffer1以及自补偿低压转高压电平移位器、自补偿高压转低压电平移位器进行供电；自补偿低压转高压电平移位器的输入信号为VDH，输出信号VDHb表示信号VDH经过转换成为VBST-VSW电源轨的输出信号，连接缓冲器Buffer2的输入端；自补偿高压转低压电平移位器的输入信号为缓冲器Buffer1的输出信号VGH，自补偿高压转低压电平移位器的输出信号为VGHb；缓冲器Buffer1的输入信号为VDHb，输出信号VGH连接MH的栅极；Buffer1的电源端Vboot、Buffer1的地端Vsource分别连接VBST和VSW接收电源轨VBST-VSW供电；缓冲器Buffer2的输入信号为VDL，输出信号VGL连接ML的栅极；Buffer2接收电源端VDD及地端GND形成的电源轨VDD-GND供电。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东工业大学 一种具有dv/dt噪声抑制的低延时GaN半桥栅极驱动电路

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