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申请/专利权人：北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日：2024-01-17
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117933163A
主分类号：G06F30/367
分类号：G06F30/367
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本发明涉及一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法。首先，将双平面的电流密度划分为多个阵列子区域，根据毕奥萨法尔定律确定了空气内平面电流密度子区域在目标区域产生的总磁场表达式；然后，引入镜像法，推导了考虑双平面阵列线圈与磁屏蔽房高磁导率材料耦合后产生的总磁场表达式；其次，设定目标区域的场点、磁场值和罚函数等，求解出线圈的未知电流密度系数；最后，采用流函数法给出双平面阵列线圈的绕组。本发明可满足依据磁屏蔽房内实际磁场分布反推线圈绕组产生所需磁场的需求，实现工作区域内剩磁的精准补偿。
主权项：1.一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法，其特征在于：所述的磁屏蔽房由高磁导率材料和高电导率材料制成，所述双平面阵列线圈分别安装于所述磁屏蔽房内壁的任意两个平面上，所述双平面阵列线圈在目标区域内产生所需磁场；该方法包括下列步骤：S1、针对所述的磁屏蔽房内壁的任意两个平面，分别将两个平面的带有未知电流密度系数的平面电流密度划分为多个阵列子区域，根据毕奥萨法尔定律得到空气内所有的所述阵列子区域在目标区域产生的总磁场；S2、根据步骤S1得到的总磁场，结合镜像法推导出双平面阵列线圈与磁屏蔽房高磁导率材料耦合后产生的总磁场；S3、选用线圈的流函数曲率的平方和作为罚函数，设定目标区域的目标场点以及目标场点处的期望磁场值，根据步骤S2得到的总磁场，采用Tikhonov正则化方法求解出线圈的未知电流密度系数；S4、根据步骤S3得到的线圈的未知电流密度系数计算出线圈的流函数，根据所述流函数的等值线得到产生所需磁场分布的线圈绕组。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京航空航天大学宁波创新研究院 一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法
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